[实用新型]一种提高发光效率的LED芯片

权利要求书

1.一种提高发光效率的LED芯片，包括自下向上依次层叠设置的衬底(1)、N型半导体层(2)、发光层(3)和P型半导体层(4)，其特征在于，所述P型半导体层(4)自顶部向所述发光层(3)内部陈列分布设置尺寸相同的坑状结构，所述坑状结构设置多个，坑状结构的表面覆盖绝缘层(6)，所述P型半导体层(4)的上侧及所述绝缘层(6)的上部设置导电层(5)，导电层(5)上设置p电极(7)，所述N型半导体层(2)上设置n电极(8)。

2.如权利要求1所述的提高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述衬底(1)材料为硅、蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氮化铝、锗或砷化镓中的一种。

3.如权利要求2所述的提高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述N型半导体层(2)为In_xGa_yAl_(1-x-y)N材料，其中，0≤x≤1，0≤y≤1。

4.如权利要求3所述的提高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述P型半导体层(4)为In_xGa_yAl_(1-x-y)N材料，其中，0≤x≤1，其0≤y≤1。

5.如权利要求4所述的提高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述发光层(3)由In_mGa_1-mN阱和Al_nIn_qGa_1-n-qN垒的周期结构组成，周期数为t，In_mGa_1-mN阱的禁带宽度小于Al_nIn_qGa_1-n-qN垒的禁带宽度，其中：In_mGa_1-mN阱中：0≤m≤1；Al_nIn_qGa_1-n-qN垒中：0≤n≤1，0≤q≤1，0≤n+q≤1；周期数1≤t≤15。

6.如权利要求5所述的提高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述坑状结构垂直方向的截面为“V”型。

7.如权利要求6所述的提高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述绝缘层(6)的材料为SIO2或AL2O3或MgF₂或ZrO₂中的一种。

8.如权利要求7所述的提高发光效率的LED芯片，其特征在于，所述导电层(5)为透明导电膜。