[实用新型]半导体装置

摘要

本实用新型公开了半导体装置，半导体装置包括衬底、多条位线、多个触点、多个间隙壁结构以及金属硅化物层。位线设置于衬底上，触点设置于衬底上并与位线交替且分隔地设置，其中，触点包括依序堆叠的第一半导体层以及第二半导体层，其中，第二半导体层包含未掺杂硅。间隙壁结构设置于衬底上并分别位于各位线以及各触点之间。金属硅化物层设置于各触点的第二半导体层上。如此，可改善存储节点插塞的结构稳定性，进而优化所述半导体装置的装置效能。