[实用新型]一种深紫外发光二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 202220130117.1 申请日: 2022-01-19
公开(公告)号: CN215896434U 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 陆振东;闫志超;黄小辉;李大超 申请(专利权)人: 至善时代智能科技(北京)有限公司;至芯半导体(杭州)有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/58;H01L25/075
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 王富强
地址: 102629 北京市大兴区中关村科技园区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种深紫外发光二极管封装结构,涉及半导体封装技术领域,包括透镜、环形壳体以及多个深紫外灯;环形壳体的部分侧壁上开设有一插孔,环形壳体的部分内壁上开设有一安装槽,透镜能够穿过插孔并伸入至安装槽中,透镜与环形壳体之间能够形成一密闭腔体;各深紫外灯均固定设置于腔体内。本实用新型提供的深紫外发光二极管封装结构能够保证透镜不易脱落。
搜索关键词: 一种 深紫 发光二极管 封装 结构
【主权项】:
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