[实用新型]一种深紫外发光二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 202220130117.1 申请日: 2022-01-19
公开(公告)号: CN215896434U 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 陆振东;闫志超;黄小辉;李大超 申请(专利权)人: 至善时代智能科技(北京)有限公司;至芯半导体(杭州)有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/58;H01L25/075
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 王富强
地址: 102629 北京市大兴区中关村科技园区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 深紫 发光二极管 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种深紫外发光二极管封装结构,其特征在于:包括:

透镜;

环形壳体,所述环形壳体包括陶瓷基板和围坝,所述围坝固定设置于所述陶瓷基板的一侧,所述围坝的部分侧壁上开设有一插孔,所述围坝的部分内壁上开设有一安装槽,所述透镜能够穿过所述插孔并伸入至所述安装槽中,所述透镜与所述环形壳体之间能够形成一密闭腔体;

以及多个深紫外灯,各所述深紫外灯均固定设置于所述腔体内。

2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管封装结构,其特征在于:还包括位于所述腔体中且不相接触的第一线路层和第二线路层,所述第一线路层与所述第二线路层均与所述陶瓷基板固定连接,各所述深紫外灯均与所述第一线路层和所述第二线路层电连接。

3.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管封装结构,其特征在于:各所述深紫外灯均为深紫外发光二极管。

4.根据权利要求2所述的深紫外发光二极管封装结构,其特征在于:所述陶瓷基板远离所述围坝的一侧固定设置有互不接触的两个焊盘,所述第一线路层与所述第二线路层均与一个所述焊盘电连接。

5.根据权利要求4所述的深紫外发光二极管封装结构,其特征在于:所述陶瓷基板上开设有两个通孔,各所述通孔中均固定设置有一个导电元件,一个所述导电元件一端与所述第一线路层抵接,另一端与一个所述焊盘抵接,另一个所述导电元件一端与所述第二线路层抵接,另一端与另一个所述焊盘抵接。

6.根据权利要求5所述的深紫外发光二极管封装结构,其特征在于:所述导电元件为电镀铜柱。

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