[实用新型]一种半导体制程的扩片温度控制装置有效
| 申请号： | 202220061757.1 | 申请日： | 2022-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN216719886U | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 王路瑶;张磊;刘嘉涵;罗志胜 | 申请（专利权）人： | 康佳芯云半导体科技（盐城）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 苏州汇智联科知识产权代理有限公司 32535 | 代理人： | 李秀娟 |
| 地址： | 224000 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体制程的扩片温度控制装置，涉及芯片封装领域，包括底座，所述底座顶部固定连接有降温柱，降温柱顶部设置有模具，模具上表面固定粘接有DAF带，卡盘下表面固定连接有若干个导热环，导热环底部左侧固定连接有L形导热柱，L形导热柱底端固定连接有加热器，底座上表面右侧固定连接有支撑柱，支撑柱顶部固定连接有支撑板，支撑板左侧顶部固定连接有冷风机，支撑板左侧底部固定连接有吹风管，冷风机左端固定连接有连通管，连通管底端固定连接在支撑板上表面，连通管与吹风管相连通。本实用新型通过设置加热器、导热环和冷风机，使得使扩片过程中可以轻易地扩片成功，提升分离比降低，增加产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 温度 控制 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
