[发明专利]一种碳化硅单晶炉在审
| 申请号： | 202211735551.3 | 申请日： | 2022-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN116005261A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 龙博腾 | 申请（专利权）人： | 厦门天三半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/00 |
| 代理公司： | 厦门律嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 35225 | 代理人： | 温洁 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬高新*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅单晶炉，属于碳化硅单晶炉技术领域，包括反应区，反应区包括反应坩埚，反应坩埚的外侧配置有反应罩，反应罩外套设有感应线圈，感应线圈上配置有第一升降组件，反应坩埚的底部配置有用于升降反应坩埚的第二升降组件以及用于旋转反应坩埚的旋转组件；第一升降组件包括定位丝杆、第一滑块、移动丝杆以及固定支架，定位丝杆以及移动丝杆位于固定支架上，第一滑块穿过定位丝杆且在定位丝杆上滑动，第一滑块的一侧与感应线圈连接，第一滑块的另一侧与移动丝杆连接，固定支架上配置有电力组件，通过在反应坩埚上设置有第二升降组件以及旋转组件，使得反应坩埚在反应区内能够旋转并且升降，使得加热均匀，反应彻底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 单晶炉 | ||
【主权项】：
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