[发明专利]功率半导体器件、功率半导体芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202211696554.0 | 申请日： | 2022-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN116936627A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 赵善衡;禹赫;朴泰泳;李珠焕;姜旻岐;尹成晥;金太阳 | 申请（专利权）人： | 现代摩比斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王红艳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及功率半导体器件、功率半导体芯片及其制造方法。该功率半导体器件包括：栅电极，从半导体基板的第一表面凹进至半导体基板的与第一表面相对设置的第二表面；发射器区域，包括第一导电类型的杂质，该发射器区域被设置为与设置有栅电极的沟槽和第一表面接触；收集器区域，包括与第一导电类型相对的第二导电类型的杂质，该收集器区域被设置为与第二表面接触；浮置区域，包括第二导电类型的杂质，该浮置区域在包围沟槽的底面的同时沿着沟槽的延伸方向朝向第二表面延伸；以及沟槽发射器区域，在沟槽中插入栅电极下方。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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