[发明专利]一种集成电容的共源共栅氮化镓器件及芯片

摘要

本申请属于半导体技术领域，提供了一种集成电容的共源共栅氮化镓器件及芯片，通过在半导体衬底的正面形成层叠设置的成核层、氮化镓漂移层、势垒层，在成核层、氮化镓漂移层以及势垒层的两侧形成第一源极金属层和第一漏极金属层，在势垒层上形成第一栅极金属层，并在半导体衬底的背面形成互不接触的源极掺杂区与漏极掺杂区，且P型掺杂区和P型基区位于源极掺杂区与半导体衬底之间，通过第一金属走线连接第一栅极金属层和第二源极金属层，并在第一金属走线和第二漏极金属层之间设置电介质层，从而在共源共栅氮化镓器件内集成电容，避免了通过封装MOSFET与GaN器件组成共源共栅氮化镓器件时存在电容不匹配的问题。