[发明专利]共源共栅的多层氮化镓HEMT器件及芯片在审
| 申请号： | 202211659001.8 | 申请日： | 2022-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN116190440A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 吴龙江 | 申请（专利权）人： | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种共源共栅的多层氮化镓HEMT器件及芯片。多层氮化镓HEMT器件包括：半导体衬底、缓冲层、多层第一氮化镓通道层、多层第二氮化镓通道层、鳍片、漏极、源极、第一栅极和第二栅极。本申请通过将第二栅极与源极连接，可以形成共源共栅结构，第二栅极与多层第二氮化镓通道层构造出的类似于常开型HEMT器件的开关结构可以代替鳍片承受部分高电压，由于鳍片的耐高压能力与导通电阻的大小呈正比例关系，因此通过常开型HEMT器件进行分压可以在保持鳍片的低导通电阻的情况下，增大整个器件耐高压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 共源共栅 多层 氮化 hemt 器件 芯片 | ||
【主权项】：
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