[发明专利]一种IGBT功率模块散热结构及其加工工艺在审
| 申请号： | 202211655849.3 | 申请日： | 2022-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN115831890A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 鲍婕;周斌;胡娟;周云艳;张俊武;程家斌 | 申请（专利权）人： | 黄山谷捷股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/40;H01L23/373;H01L21/48 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 245061 安徽省黄*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种IGBT功率模块散热结构及其加工工艺，该结构包括外散热体、互连层和内散热体三部分。其中，外散热体是带有曲面凹槽结构的散热针翅板；互连层由内环和外环组成，内环是石墨烯/纳米银复合材料组成的第一互连层，外环是少层六方氮化硼作为导热填料复合组成的第二互连层；内散热体是由第一金属层、绝缘层、第二金属层构成的IGBT功率芯片衬板。通过预弯加工，内散热体与外散热体中散热针翅板上表面凹槽底面的弧度一致，并通过互连层使内散热体与外散热体中的凹槽表面紧密贴合。本发明实现了IGBT功率模块散热结构和加工，提升了功率模块的产品可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 功率 模块 散热 结构 及其 加工 工艺 | ||
【主权项】：
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