[发明专利]重掺衬底片外延后在汞CV电阻率测试前的表面处理方法在审
| 申请号： | 202211618861.7 | 申请日： | 2022-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN116169045A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 陈佳伟 | 申请（专利权）人： | 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司;杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26;H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权;詹雨露 |
| 地址： | 323000 浙江省丽水市莲都区南明山*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种重掺衬底片外延后在汞CV电阻率测试前的表面处理方法，所属半导体加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片在外延后，外延层表面会生长出一层不规则的氧化层，采用氢氟酸将外延层表面氧化层洗去。第二步：用去离子水进行冲洗，冲去表面残留的氢氟酸和一些氧化膜杂质；第三步：冲洗后进行干燥，蒸干表面残余水分。第四步：抛光片为P型则洗净结束，进行汞CV测试。第五步：当抛光片为N型则继续使用双氧水加氨水进行浸泡处理。第六步：处理后用去离子水冲洗表面残留的双氧水和氨水。第七步：最后经过干燥洗净，接着进行汞CV测试。通过表面处理调整相位角提高硅片在汞CV电阻率测试中稳定性，避免出现漏电导致测试不出结果。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 外延 cv 电阻率 测试 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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