[发明专利]重掺衬底片外延后在汞CV电阻率测试前的表面处理方法

权利要求书

1.一种重掺衬底片外延后在汞CV电阻率测试前的表面处理方法，其特征在于包括如下操作步骤：

第一步：硅片在外延后，外延层表面会生长出一层不规则的氧化层，采用氢氟酸将外延层表面氧化层洗去，在氢氟酸中进行浸泡腐蚀的温度为65℃，时间为4～7min；

第二步：用去离子水进行冲洗，冲去表面残留的氢氟酸和一些氧化膜杂质；

第三步：冲洗后进行干燥，蒸干表面残余水分；

第四步：抛光片为P型则洗净结束，进行汞CV测试；

第五步：当抛光片为N型则继续洗净步骤，使用双氧水加氨水进行浸泡处理，浸泡温度为65℃，时间为8～12min；

第六步：处理后用去离子水冲洗表面残留的双氧水和氨水；

第七步：最后经过干燥洗净结束即表面处理完成，洗净结束后进行汞CV测试。

2.根据权利要求1所述的重掺衬底片外延后在汞CV电阻率测试前的表面处理方法，其特征在于：通过CVD腐蚀机会进行端面腐蚀来腐蚀背面的CVD层，通过正面不贴膜来使背封片正反面均进行腐蚀。

3.根据权利要求2所述的重掺衬底片外延后在汞CV电阻率测试前的表面处理方法，其特征在于：若不是背封片，则将背面贴膜后进行腐蚀。

4.根据权利要求1所述的重掺衬底片外延后在汞CV电阻率测试前的表面处理方法，其特征在于：在经过表面处理后的外延片，若外延片浓度较小电阻率较大，测得结果正常，所有测试点相位角通常都稳定在88°以上且小于90°，当相位角均为90°时无法测量电阻率，电阻率显示结果均为NaN。

5.根据权利要求4所述的重掺衬底片外延后在汞CV电阻率测试前的表面处理方法，其特征在于：测试点相位角在89°以上结果最佳。

6.根据权利要求4所述的重掺衬底片外延后在汞CV电阻率测试前的表面处理方法，其特征在于：若外延片浓度较高电阻率较小时，通常会导致相位角均小于88°且混乱无规律，测试结果很差，通过用无尘布将外延片表面进行擦拭来使相位角达到88°以上。