[发明专利]一种半导体发光元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202211614417.8 | 申请日： | 2022-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN115799414A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 史成丹;卓祥景;万志;王莎莎;尧刚;程伟 | 申请（专利权）人： | 厦门未来显示技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361006 福建省厦门市厦门火炬高新*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光元件及其制作方法，其所述外延叠层包括依次堆叠的N型半导体层、有源区、P型半导体层以及贯穿所述有源区的V型凹坑；且，在所述N型半导体层和所述有源区之间还设有静电荷收集层，所述V型凹坑的尖端延伸至所述静电荷收集层，且所述N型半导体层具有穿透位错。从而，通过所述静电荷收集层将外延叠层下表面(即N型半导体层一侧)的静电荷收集；然后利用穿透位错与V型凹坑构成漏电通道，将静电荷输送到外延叠层表面(即P型半导体层一侧)与表面累积的正电荷发生中和；藉以实现：避免静电荷在外延叠层下表面的累积，降低半导体发光元件被静电击穿的风险，提高半导体发光元件的抗静电能力的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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