[发明专利]一种半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202211594560.5 | 申请日： | 2022-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN115621312A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 张啸;欧阳爵;彭晗;周建军 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 215211 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭露提供了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、电极、电介质结构、场板、多个高度补偿件及多个导孔。第二氮化物半导体层在第一氮化物半导体层上并且其带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。电极接触第二氮化物半导体层。电介质结构安置在第二氮化物半导体层上且覆盖电极。场板位于电介质结构中。高度补偿件位于电介质结构中且分别安置在电极及场板上。导孔延伸入电介质结构中且分别接触高度补偿件的顶面。高度补偿件补偿了电极与场板之间的高度差，以避免在形成导孔的过程中，发生蚀刻不足或蚀穿的状况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司，未经英诺赛科（苏州）半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211594560.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种圆形磁芯侧面缺陷检测装置及其方法
- 下一篇：电子加速器用快速冷却装置
- 同类专利
- 专利分类
