[发明专利]套刻对准图形及测量方法有效
| 申请号： | 202211593501.6 | 申请日： | 2022-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN115586714B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 黄小迪;黄浩玮 | 申请（专利权）人： | 合肥新晶集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杨明莉 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种套刻对准图形及测量方法，套刻对准图形包括基础对准图形、第一对准图形及第二对准图形；基础对准图形位于衬底的预设区域内，包括若干个沿第一方向延伸的第一基础子对准图形及若干个沿第二方向延伸的第二基础子对准图形；第一对准图形位于衬底上的外延层上，包括多个长条图形，长条图形在预设区域的正投影覆盖一第一基础子对准图形或一第二基础子对准图形；第二对准图形位于外延层上，包括多个对准图案，对准图案在预设区域的正投影环绕一第一基础子对准图形或一第二基础子对准图形；本公开实施例至少能够提高套刻对准图形的对比度，获得外延层生长后的套刻精度，从而提高器件的套刻精度及产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 图形 测量方法 | ||
【主权项】：
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