[发明专利]一种集成电路用铜钛蚀刻液及其制备方法在审
| 申请号： | 202211589035.4 | 申请日： | 2022-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN116162932A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 何珂;戈烨铭;白雪 | 申请（专利权）人： | 江苏中德电子材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26;C23F11/04;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 江阴市轻舟专利代理事务所(普通合伙) 32380 | 代理人： | 江霞 |
| 地址： | 214400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路用铜钛蚀刻液，属于刻蚀液制备技术领域，包括以下质量百分比原料：5‑20％过硫酸盐、0.1‑2％的含氟化合物、1‑10％的无机酸、0.3‑3％缓蚀剂、0.1‑3％的含氯化合物、0.1‑2％磷酸盐；余量为水；按照配方比例混合均匀，并通入过滤器2次以上，得到集成电路用铜钛蚀刻液体，发明的集成电路用铜钛蚀刻液具有黏度小、蚀刻均匀的优点，并且蚀刻液性质稳定，对铜钛金属刻蚀速度相同，本发明在蚀刻液中加入了自制的缓蚀剂，其能够在铜钛金属表面形成吸附结构，对铜钛具有稳定的缓蚀效果，利用缓蚀作用使铜和钛层蚀刻速度适中，有助于形成均匀光滑的蚀刻表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 用铜钛 蚀刻 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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