[发明专利]一种集成电路用铜钛蚀刻液及其制备方法

说明书

本发明公开了一种集成电路用铜钛蚀刻液，属于刻蚀液制备技术领域，包括以下质量百分比原料：5‑20％过硫酸盐、0.1‑2％的含氟化合物、1‑10％的无机酸、0.3‑3％缓蚀剂、0.1‑3％的含氯化合物、0.1‑2％磷酸盐；余量为水；按照配方比例混合均匀，并通入过滤器2次以上，得到集成电路用铜钛蚀刻液体，发明的集成电路用铜钛蚀刻液具有黏度小、蚀刻均匀的优点，并且蚀刻液性质稳定，对铜钛金属刻蚀速度相同，本发明在蚀刻液中加入了自制的缓蚀剂，其能够在铜钛金属表面形成吸附结构，对铜钛具有稳定的缓蚀效果，利用缓蚀作用使铜和钛层蚀刻速度适中，有助于形成均匀光滑的蚀刻表面。

技术领域

本发明属于刻蚀液制备技术领域，具体涉及一种集成电路用铜钛蚀刻液及其制备方法。

背景技术

目前，液晶面板生产工艺中，需要用到铜钛蚀刻液来蚀刻铜钛双重膜。现有技术中已知的铜钛膜蚀刻液体系包括过硫酸盐体系、过氧化氢体系和氟化物氧化性酸体系，过氧化氢体系的蚀刻液容易被分解却随时间不稳定，而硫酸盐体系的蚀刻速度低且随时间不稳定，因此，有必要提供一种蚀刻速度快且体系稳定的集成电路用铜钛蚀刻液及其制备方法。

中国专利CN102834547A中公开了一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液，其组成为过氧化氢、硝酸、氟离子源、唑类、季铵氢氧化物和过氧化氢稳定剂，上述组分中唑类作为金属缓蚀剂组分单一，虽然对铜的缓蚀效果较好，但对钛层的缓蚀效果一般，因此在蚀刻钛层时蚀刻速度较快，且蚀刻后形成的布线剖面形状不理想，不适用于平板大尺寸和高分辨率的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种集成电路用铜钛蚀刻液及其制备方法，以解决背景技术中的问题。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种集成电路用铜钛蚀刻液，包括以下质量百分比原料：5-20％过硫酸盐、0.1-2％的含氟化合物、1-10％的无机酸、0.3-3％缓蚀剂、0.1-3％的含氯化合物、0.1-2％磷酸盐；余量为水；

该集成电路用铜钛蚀刻液通过以下步骤制成：

将上述原料按照配方比例混合均匀，并通入过滤器2次以上，得到集成电路用铜钛蚀刻液体，过滤器中的滤膜孔径为0.03-0.1μm。

进一步地，缓蚀剂通过以下步骤制成：

步骤S11、将柠檬酸加入烧瓶中，加入二乙醇胺搅拌均匀后，加入对甲苯磺酸，控制搅拌速度为200r/min，升温至118℃后，通过真空泵控制反应体系的真空度为0.06-0.65MPa，搅拌反应6-8h，反应结束后，得到端羧基超支化聚酰胺；

其中，柠檬酸和二乙醇胺的摩尔比为3：1，对甲苯磺酸用量为柠檬酸和二乙醇胺质量和的2％,通过酯化反应，得到端羧基超支化聚酰胺；

步骤S12、将甲苯加入反应釜中，接着加入端羧基超支化聚酰胺，100-200r/min下，氮气保护下，滴加氯化亚砜，升温至40-60℃，搅拌反应6-8h，完成端羧基超支化聚酰胺的酰氯化后，冷却至室温，加入封端剂，搅拌10-20min后，加入吡啶，氮气保护下，升温至回流反应4-6h，反应结束后，减压蒸馏去除甲苯，得到缓蚀剂；