[发明专利]一种集成电路用铜钛蚀刻液及其制备方法

权利要求书

1.一种集成电路用铜钛蚀刻液，其特征在于，包括以下质量百分比原料：

5-20％过硫酸盐、0.1-2％的含氟化合物、1-10％的无机酸、0.3-3％缓蚀剂、0.1-3％的含氯化合物、0.1-2％磷酸盐，余量为水：

缓蚀剂通过以下步骤制成：

将甲苯加入反应釜中，接着加入端羧基超支化聚酰胺，氮气保护下，滴加氯化亚砜，升温至40-60℃，搅拌反应6-8h，冷却至室温，加入封端剂，搅拌后加入吡啶，氮气保护下，升温至回流反应4-6h，得到缓蚀剂。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路用铜钛蚀刻液，其特征在于，甲苯、端羧基超支化聚酰胺、氯化亚砜、封端剂和吡啶的质量比为100-150：5-10：3-5：5-10：0.3-0.5。

3.根据权利要求1所述的一种集成电路用铜钛蚀刻液，其特征在于，端羧基超支化聚酰胺通过以下步骤制成：

将柠檬酸和二乙醇胺混合后，加入对甲苯磺酸，升温至118℃后，真空度为0.06-0.65MPa，搅拌反应6-8h，得到端羧基超支化聚酰胺。

4.根据权利要求3所述的一种集成电路用铜钛蚀刻液，其特征在于，柠檬酸和二乙醇胺的摩尔比为3：1，对甲苯磺酸用量为柠檬酸和二乙醇胺质量和的2％。

5.根据权利要求1所述的一种集成电路用铜钛蚀刻液，其特征在于，封端剂通过以下步骤制成：

步骤S21、在四口烧瓶中加入去离子水，搅拌下加入对氨基苯磺酸，质量分数30％的盐酸溶液，用冷却装置冷却至0℃，控制温度0-5℃，缓慢加入亚硝酸酸钠溶液，保温搅拌1h，得到混合液a；

步骤S22、在反应釜中加入去离子水，搅拌下加入苯胺和混合液a，同时用质量分数15％醋酸钠溶液调节pH至为4.5-5.0，之后升温至20-25℃，搅拌24h，降温至5℃以下，过滤，滤饼干燥，得到封端剂。

6.根据权利要求5所述的一种集成电路用铜钛蚀刻液，其特征在于，步骤S21中去离子水、对氨基苯磺酸、盐酸溶液和亚硝酸酸钠溶液的用量比为300-320mL：46.2g：35mL：35mL。

7.根据权利要求5所述的一种集成电路用铜钛蚀刻液，其特征在于，步骤S21中亚硝酸酸钠溶液由亚硝酸钠和去离子水按照18.5g：35mL组成。

8.根据权利要求5所述的一种集成电路用铜钛蚀刻液，其特征在于，去离子水、苯胺和混合液a的用量比为200mL：25.2g：300-320mL。

9.根据权利要求1所述的一种集成电路用铜钛蚀刻液，其特征在于，含氟化合物为氟化铵、氟化钠、氟化钾、氢氟化铵、氢氟化钠、氢氟化钾中的一种或多种按照任意比例组成。

10.根据权利要求1所述的一种集成电路用铜钛蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将过硫酸盐、含氟化合物、无机酸、缓蚀剂、含氯化合物、磷酸盐和水按照配方比例混合均匀，并通入过滤器2次以上，得到集成电路用铜钛蚀刻液体，过滤器中的滤膜孔径为0.03-0.1μm。