[发明专利]一种堆叠封装的功率MOSFET器件及其加工方法在审
| 申请号： | 202211588399.0 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN115995493A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;王彤阳;杨洋;吴峻翔 | 申请（专利权）人： | 成都鼎芯微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都华辰智合知识产权代理有限公司 51302 | 代理人： | 秦华云 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种堆叠封装的功率MOSFET器件，包括P型衬底(1)，其特征在于：在P型衬底(1)上依次设置有P型外延层(2)、N型漂移区(3)以及N型漏区(4)，P型外延层(2)上设有均与N型漂移区(3)和N型漏区(4)相接触的栅极结构；在栅极结构与P型外延层(2)之间分别设有相互接触的N型源区(5)和金属沉片(7)；N型漏区(4)上设有与栅极结构相接触的漏极金属电极(10)，P型衬底(1)的下端设有源极金属电极(11)。本发明不仅结构简单，还能使源极电极可以从器件底部引出，因此为特定应用时器件的堆叠设置提供了可能性，能显著提高封装效率，减小芯片面积，适合推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 封装 功率 mosfet 器件 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
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