[发明专利]用于改善硅片表面平坦度的方法及系统在审
| 申请号： | 202211575366.2 | 申请日： | 2022-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN116864391A | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 郭宇轩 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/32 | 分类号： | H01L21/32;H01L21/027;H01L21/67;H01L21/02;H01L21/66;C23C16/40;C23C16/04 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 宋东阳;李斌栋 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及用于改善硅片表面平坦度的方法及系统，该方法包括：检测硅片表面的平坦度以确定包括与平坦度相关联的最低点的低凹区域的位置；使该表面被覆盖特定材料层并去除特定材料层的与该位置对应的部分；在覆盖有特定材料层的该表面上沉积含硅层以在厚度上补偿低凹区域；以及去除特定材料层的其余部分。通过本公开的方法和系统，实现了对硅片表面平坦度的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 硅片 表面 平坦 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
