[发明专利]一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法在审
| 申请号： | 202211548890.0 | 申请日： | 2022-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN115714088A | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 李广德 | 申请（专利权）人： | 济南晶久电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/329 |
| 代理公司： | 山东瑞宸知识产权代理有限公司 37268 | 代理人： | 王萍 |
| 地址： | 250200 山东省济南市章丘*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体生产技术领域，具体涉及一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法，包括以下步骤：步骤一准备原材料；步骤二将原材料装填入焊接船，进焊接炉在氮气保护下高温焊接；步骤三出炉转换；步骤四酸洗、水清洗；使用酸洗机对焊接成品中晶粒PN结面进行酸性腐蚀，以去除可能的污物，在酸洗的过程中，按照流程进行高纯水超声清洗；步骤五涂玻璃浆后玻璃烧结；步骤六可靠性试验；步骤七合并连接成桥式整流器；步骤八准备注胶；步骤九注胶及注胶后固化；步骤十表面锡处理；步骤十一第二次可靠性试验；步骤十二电性测试；步骤十三印字、外观检查；步骤十四包装、入库。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 玻璃 烧结 高压 整流器 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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