[发明专利]一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法在审
申请号: | 202211548890.0 | 申请日: | 2022-12-05 |
公开(公告)号: | CN115714088A | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 李广德 | 申请(专利权)人: | 济南晶久电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/329 |
代理公司: | 山东瑞宸知识产权代理有限公司 37268 | 代理人: | 王萍 |
地址: | 250200 山东省济南市章丘*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻璃 烧结 高压 整流器 加工 方法 | ||
1.一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法,其特征在于:包括如下步骤:
步骤一准备原材料;将引线、已腐蚀的钼粒、已腐蚀的晶粒、焊片装入相应的容器内;
步骤二将原材料装填入焊接船,进焊接炉在氮气保护下高温焊接;
步骤三出炉转换;
步骤四酸洗、水清洗;使用酸洗机对焊接成品中晶粒PN结面进行酸性腐蚀,以去除可能的污物,在酸洗的过程中,按照流程进行高纯水超声清洗;
步骤五涂玻璃浆后玻璃烧结;用一种特殊的上玻璃设备在PN结表面上上一层玻璃浆,使用烧结炉将二极管坯件封接成电参数和外形符合内钝化要求的二极管件,烧结过程中使用氮气保护;
步骤六可靠性试验;在进行可靠性试验前后,实验室应当的进行半自动电性试验;
步骤七合并连接成桥式整流器;
步骤八准备注胶;
步骤九注胶及注胶后固化;
步骤十表面锡处理;
步骤十一第二次可靠性试验;在进行可靠性试验前后,实验室应当的进行半自动电性试验;
步骤十二电性测试;在流水线上进行全自动电性试验;
步骤十三印字、外观检查;
步骤十四包装、入库。
2.根据权利要求1所述的一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法,其特征在于:步骤二中所述将原材料装填入焊接船,装填后的结构顺序为:引线-焊片-钼粒-晶粒—钼粒-焊片-引线;所述焊接炉的炉内最高温度为715℃~760℃,高于660℃恒温区时间为11~17min,高于580℃恒温区时间为17~21min,出炉口温度≤130℃;所述氮气的压力为2.5±0.5kg/cm2。
3.根据权利要求2所述的一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法,其特征在于:步骤四中所述酸洗机包括1#酸槽和2#酸槽,所述1#酸槽内装入1#混合酸,所述2#酸槽内装入2#混合酸;所述1#混合酸的配比为硝酸:硫酸:氢氟酸:磷酸=1:2:1:2;所述2#混合酸的配比为磷酸:双氧水:去离子水=1:2:3。
4.根据权利要求3所述的一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法,其特征在于:所述1#混合酸的实际酸温为25℃~28℃,所述2#混合酸的实际酸温为62℃±3℃。
5.根据权利要求3所述的一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法,其特征在于:步骤五中所述烧结炉炉温最高温度为670℃±10℃,高于630℃的区域,通过的时间为6min~12min,链速为12.5cm/60±2s。
6.根据权利要求3所述的一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法,其特征在于:步骤七中所述合并连接的连接温度为300℃~360℃。
7.根据权利要求3所述的一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法,其特征在于:步骤八所述准备注胶包括如下步骤:
S1引直;
S2电性预分类;
S3 Hi-rel;对合并后的桥式整流器产品进行高温高压的工作环境检测,其工作环境为绝缘油中,环境温度为175℃,对产品施加的电压为不小于104V;
S4电极焊接。
8.根据权利要求3所述的一种玻璃烧结高压桥式整流器加工方法,其特征在于:所述步骤十的表面锡处理包括以下步骤:
P1引线预处理;
P2核对浸锡参数;
P3装料;
P4浸锡盘装机;
P5浸锡;
P6冷却;
P7下料;
P8清洗机准备;
P9清洗剂清洗;
P10烘干;
P11外观不良品挑拣;
P12装箱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造