[发明专利]一种基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法在审
| 申请号： | 202211518850.1 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN116192115A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 商桂川;丛楠;孙浩然 | 申请（专利权）人： | 四川斯艾普电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/74 | 分类号： | H03K17/74;H05K1/18;H05K1/14;H05K1/11;H05K1/03;H05K1/02 |
| 代理公司： | 成都诚中致达专利代理有限公司 51280 | 代理人： | 傅超 |
| 地址： | 610051 四川省成都市成华区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法，包括：提供一层表层电路层，其上设置驱动器、第一射频传输线、第二射频传输线、第三射频传输线、第四射频传输线、第一PIN二极管、第二PIN二极管、第三PIN二极管、第一电容、第二电容、第三电容及第四电容；提供一层牺牲层，设于表层电路层的下侧；提供多层金属层，第一金属层位于牺牲层下侧，第二金属层上设置第一电感、第二电感、第三电感、第四电感；第四金属层上设置第一电阻、第二电阻；第五金属层上设置驱动器控制电路；金属层的相邻两层之间夹设一个陶瓷基板。将大功率开关的元器件分开布置在薄膜工艺的表层和厚膜工艺的内部不同金属层，实现高度集成，减小整体尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 厚薄 路基 大功率 开关 设计 方法 | ||
【主权项】：
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