[发明专利]一种基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法

权利要求书

1.一种基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法，其特征在于，包括：

提供一层表层电路层（1），在其上设置驱动器（10）、第一射频传输线（11）、第二射频传输线（12）、第三射频传输线（13）、第四射频传输线（14）、第一PIN二极管（15a）、第二PIN二极管（15b）、第三PIN二极管（15c）、第一电容（16a）、第二电容（16b）、第三电容（16c）及第四电容（16d）；

提供多层金属层（3），金属层（3）至少包括第一金属层（30）、第二金属层（31）、第三金属层（32）、第四金属层（33）、第五金属层（34）及第六金属层（35）；在第二金属层（31）上设置第一电感（310）、第二电感（311）、第三电感（312）、第四电感（313）；在第四金属层（33）上设置第一电阻（330）及第二电阻（331）；

在第五金属层（34）上设置第一驱动器控制电路（340）与第二驱动器控制电路（341）；

提供多层陶瓷基板（4），在金属层（3）的相邻两层之间夹设一个陶瓷基板（4）。

2.根据权利要求1所述的基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法，其特征在于，还提供一层牺牲层（2），牺牲层（2）设于表层电路层（1）的下侧，且牺牲层（2）位于第一金属层（30）的上侧。

3.根据权利要求2所述的基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法，其特征在于，牺牲层（2）包括薄膜基板（20），薄膜基板（20）的下侧至少设有一个厚膜牺牲层（21），薄膜基板（20）设于表层电路层（1）的下侧，厚膜牺牲层（21）设于第一金属层（30）的上侧，薄膜基板（20）由氮化硅陶瓷制成。

4.根据权利要求1所述的基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法，其特征在于，还在第六金属层（35）的下侧设置钼铜层（36）。

5.根据权利要求4所述的基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法，其特征在于，在表层电路层（1）上设置多个散热孔（5），散热孔（5）贯穿过钼铜层（36）。

6.根据权利要求1所述的基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法，其特征在于，驱动器（10）通过第一通道（60）与第二通道（61）分别连接至第一驱动器控制电路（340）与第二驱动器控制电路（341）上；

驱动器（10）还通过第三通道（64）连接至第一金属层（30）上；

第一驱动器控制电路（340）与第二驱动器控制电路（341）分别通过第四通道（63）与第五通道（62）连接至表层电路层（1）上。

7.根据权利要求1所述的基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法，其特征在于，第一射频传输线（11）通过第六通道（70）连接至第一电感（310）上；

第二射频传输线（12）通过第七通道（71）连接至第三电感（312）上；

第三射频传输线（13）通过第八通道（72）连接至第四电感（313）上；

第四射频传输线（14）通过第九通道（73）连接至第二电感（311）上。

8.根据权利要求1所述的基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法，其特征在于，第一电感（310）通过第十通道（82）连接至第三金属层（32）上；

第三电感（312）通过第十一通道连接至第三金属层（32）上；

第四电感（313）通过第十二通道（80）连接至第三金属层（32）上；

第二电感（311）通过第十三通道（81）连接至第三金属层（32）上。

9.根据权利要求1所述的基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法，其特征在于，第二电阻（331）通过第十四通道（90）与第十五通道（92）连接至表层电路层（1）上；

第一电阻（330）通过第十六通道（91）与第十七通道（93）连接至表层电路层（1）上。

10.根据权利要求1所述的基于厚薄膜电路基板的大功率开关设计方法，其特征在于，陶瓷基板（4）包括设于第一金属层（30）与第二金属层（31）之间的第一陶瓷基板（40）；

第二金属层（31）与第三金属层（32）之间设有第二陶瓷基板（41）；

第三金属层（32）与第四金属层（33）之间设有第三陶瓷基板（42）；

第四金属层（33）与第五金属层（34）之间设有第四陶瓷基板（43）；

第五金属层（34）与第六金属层（35）之间设有第五陶瓷基板（44）。