[发明专利]一种热电优化的鳍式氧化镓MOSFET结构及制作方法

摘要

本发明涉及一种热电优化的鳍式氧化镓MOSFET结构及制作方法，该MOSFET结构包括：β‑Ga2O3衬底、β‑Ga2O3非故意掺杂外延层、导电沟道层、栅介质层、源电极、漏电极、栅电极和若干场笼，导电沟道层和β‑Ga2O3非故意掺杂外延层中贯穿有沿着栅宽方向分布的若干梯形凹槽，相邻梯形凹槽之间的导电沟道层形成斜鳍栅，斜鳍栅靠近源电极的边与靠近漏电极的边平行；栅介质层覆盖导电沟道层和若干梯形凹槽；源电极位于导电沟道层的一端，漏电极位于导电沟道层的另一端；栅电极位于部分梯形凹槽和部分斜鳍栅对应的栅介质层上，且位于若干梯形凹槽和源电极之间的栅介质层上；若干场笼分布于漏电极和斜鳍栅之间的栅介质层上。该结构降低了氧化镓MOSFET结构的电场峰值，降低了器件的工作温度。