[发明专利]一种氮化镓垂直沟槽MOSFET器件、制备方法及芯片在审
| 申请号： | 202211499777.8 | 申请日： | 2022-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN116314254A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘杰;黄汇钦 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/088 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请属于半导体技术领域，提供了一种氮化镓垂直沟槽MOSFET器件、制备方法及芯片，通过在氮化镓漂移层与栅极绝缘层之间形成第一P型隔离区，以及在氮化镓漂移层与第一N型掺杂区之间形成多个第二P型隔离区，在氮化镓漂移层与第二N型掺杂区之间形成多个第二P型隔离区，从而在仅增加一层光罩的情况下，使得第一P型隔离区和第二P隔离区与氮化镓漂移层形成耗尽区，同时将器件的源极和漏极之间的电场均匀化，避免电场集中在栅极绝缘层上，从而达到提升氮化镓垂直沟槽MOSFET器件的击穿电压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 垂直 沟槽 mosfet 器件 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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