[发明专利]SOI-LDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202211492107.3 | 申请日： | 2022-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN115911114A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 肖莉;陈天;王黎;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种SOI‑LDMOS器件及其制作方法。其中，SOI‑LDMOS器件包括：由下至上依次层叠的衬底层、埋氧层和外延层，外延层中形成漂移区；漂移区的两侧形成源极区和漏极区；漂移区上形成掺杂多晶硅场极板，掺杂多晶硅场极板与漂移区之间形成纵向异型结，在器件处于关断状态时，纵向异型结被耗尽；掺杂多晶硅场极板的一端与源极区接触交叠形成纵向同型结；掺杂多晶硅场极板的另一端掺入第一导电类型杂质形成第一导电类型掺杂区，掺杂多晶硅场极板的主体部分与第一导电类型掺杂区形成横向异型结，掺杂多晶硅场极板通过异型结与漏极区的金属电极之间接触。其中，制作方法用于制作上述SOI‑LDMOS器件。 | ||
| 搜索关键词： | soi ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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