[发明专利]LDMOS器件在审
| 申请号： | 202211492029.7 | 申请日： | 2022-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN115799321A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 陈昊;张磊;王晓日;禹楼飞 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LDMOS器件，包括：衬底；栅极，其形成于衬底上方，栅极和衬底之间形成有栅介质层，栅极一侧形成有侧墙，栅极另一侧形成有SRO层，SRO层的底部覆盖栅极另一侧的顶部和周侧，栅介质层另一侧的暴露区域，以及栅极另一侧预定区域的衬底表面；SAB层，其形成于SRO层上。本申请通过在LDMOS器件的栅极和SAB层之间形成SRO层，该SRO层有利于辅助阱区耗尽，改善沟道弱反型，从而改善开关型LDMOS的漏电性能。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 | ||
【主权项】：
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