[发明专利]LDMOS器件在审
| 申请号： | 202211492029.7 | 申请日： | 2022-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN115799321A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 陈昊;张磊;王晓日;禹楼飞 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 | ||
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：
衬底；
栅极，所述栅极形成于所述衬底上方，所述栅极和所述衬底之间形成有栅介质层，所述栅极一侧形成有侧墙，所述栅极另一侧形成有SRO层，所述SRO层的底部覆盖所述栅极另一侧的顶部和周侧，所述栅介质层另一侧的暴露区域，以及所述栅极另一侧预定区域的衬底表面；
SAB层，所述SAB层形成于所述SRO层上。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述衬底依次包括硅衬底和形成于所述硅衬底上的外延层。
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述硅衬底中形成有第一掺杂区，所述外延层中形成有第二掺杂区，所述第一掺杂区的底部和所述第二掺杂区的顶部接触，所述第二掺杂区中形成有第三掺杂区。
4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述第一掺杂区为所述LDMOS器件的埋层，所述第二掺杂区为所述LDMOS器件的阱区，所述第三掺杂区为所述LDMOS器件的LDD区。
5.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述栅极一侧的衬底中依次形成有第一重掺杂区和第二重掺杂区，所述栅极另一侧的衬底中形成有第一重掺杂区；
所述第一重掺杂区以及所述第二重掺杂区中的杂质浓度高于所述硅衬底、所述外延层、所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区中的杂质浓度。
6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述硅衬底、所述外延层、所述第三掺杂区以及所述第二重掺杂区中掺杂有第一类型的杂质，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第一重掺杂区中掺杂有第二类型的杂质。
7.根据权利要求1至5任一所述的器件，其特征在于，所述LDMOS器件为开关型器件。
8.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述栅介质层为台阶型。
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