[发明专利]碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用在审
| 申请号： | 202211476746.0 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN116184146A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 郭亚慧;孙鹏;李焕林;蔡雨萌;赵志斌;王异凡;邵先军;郑一鸣;刘黎;王少华;曾明全;孙明;张恬波;骆丽;王尊;王一帆;宋琦华;龚金龙;杨青 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01K7/22 |
| 代理公司： | 北京君有知识产权代理事务所(普通合伙) 11630 | 代理人： | 焦丽雅 |
| 地址： | 102206 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 mosfet 在线 测量方法 系统 及其 应用 | ||
【主权项】：
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