[发明专利]碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用

权利要求书

1.消除寄生参数影响的碳化硅MOSFET在线结温测量方法，其特征为：包括如下步骤：

步骤一：构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值y₀与结温T_j的线性解析模型；

步骤二：获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下的温敏电参数值y₁(T₀)；

步骤三：依据不同寄生参数条件常温下温敏电参数值y₀(T₀)、y₁(T₀)计算校准系数K₁；

步骤四：依据校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值y₁与结温T_j的线性解析模型；

步骤五：根据修正后的温敏电参数值y₁与结温T_j的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数y₁的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。

2.根据权利要求1所述的消除寄生参数影响的碳化硅MOSFET在线结温测量方法，其特征为：所述步骤一进一步包括如下内容：

(1)配置驱动模块的驱动电阻R_G、驱动正向电压V_GH以及驱动负向电压V_GL和碳化硅MOSFET器件母线电压V_DS；

(2)设置驱动模块输出双脉冲波形，并调整脉宽长度，使碳化硅MOSFET器件在一定电流等级下开通；

(3)配置加热模块，将碳化硅MOSFET器件固定在加热台上，通过加热台施加环境温度使碳化硅MOSFET器件结温上升到指定温度，采集升温过程中的温敏电参数y₀的信息，绘制结温T_j与温敏电参数值y₀的变化关系曲线；

(4)对所得数据进行拟合，构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值y₀与结温T_j的线性解析模型y₀(T_j)＝k_T0T_j+b_T0。

3.根据权利要求2所述的消除寄生参数影响的碳化硅MOSFET在线结温测量方法，其特征为：所述步骤二进一步包括如下内容：

(1)改变寄生参数模块，使得碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数发生改变；

(2)维持步骤一中驱动模块和碳化硅MOSFET器件母线电压设置；

(3)设置与步骤一中相同的双脉冲波形脉宽大小，使碳化硅MOSFET器件在相应的电流等级下开通；

(4)配置散热模块，将碳化硅MOSFET器件固定在散热器上，待器件温度稳定到室温T₀，采集室温下温敏电参数值y₁(T₀)。

4.根据权利要求1所述的消除寄生参数影响的碳化硅MOSFET在线结温测量方法，其特征为：所述步骤三进一步包括如下内容：

(1)将室温T₀代入步骤一所述的温敏电参数值y₀与结温T_j的线性解析模型，得到未改变寄生参数前温敏电参数值y₀(T₀)＝k_T0T₀b_T0大小；

(2)计算校准系数K₁＝y₁(T₀)/y₀(T₀)。