[发明专利]一种硅基宽光谱探测器阵列及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅基宽光谱探测器阵列及其制备方法，由多个探测器单元阵列构成，每个探测器单元包含SOI衬底、二氧化硅窗口层、长波吸收层、n电极和p电极，SOI衬底包括底部Si材料层、二氧化硅填埋层和顶层硅，顶层硅包括n型重掺杂区、n型中掺杂区和本征区。本发明采用了受光面有源区表面部分掺杂和浅掺杂，并保留了部分本征区域，从而在本征的非注入区，没有短波探测的死区效应，可以有效提高光谱探测器对波长较短光信号的响应，从而实现300nm‑2000nm的宽光谱探测。