[发明专利]一种检测两面陶瓷基板温度的热电半导体模块在审
| 申请号： | 202211435401.0 | 申请日： | 2022-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN116113304A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 冯林 | 申请（专利权）人： | 浙江先导热电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N10/817 | 分类号： | H10N10/817;H10N10/13 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 刘正君 |
| 地址： | 324200 浙江省衢州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明主要是为了解决现有的检测两面陶瓷基板温度的方案存在风险的问题，公开了一种检测两面陶瓷基板温度的热电半导体模块，包括长边陶瓷基板和短边陶瓷基板，长边陶瓷基板上设有P/N型半导体颗粒和第一NTC温度传感器，短边陶瓷基板上设有第二NTC温度传感器，长边陶瓷基板和短边陶瓷基板两侧均设有焊线焊盘位置；热电半导体模块还包括通电导线、第一NTC温度传感器传输导线和第二NTC温度传感器传输导线。本发明实现了热电半导体模块两面陶瓷基板温度的检测，焊接导线在空间上相互错开，降低了焊接短路风险；检测长边陶瓷基板温度时，有效减少短边陶瓷基板温度通过介质传递到长边陶瓷基板，保证温度检测结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 两面 陶瓷 温度 热电 半导体 模块 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江先导热电科技股份有限公司，未经浙江先导热电科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211435401.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种半导体制冷器及制备方法-202310630251.7
- 崔博然;李明;吴永庆;唐泽丰 - 杭州大和热磁电子有限公司
- 2023-05-31 - 2023-10-10 - H10N10/817
- 本发明公开了一种半导体制冷器及制备方法，旨在解决半导体制冷器的焊接区域熔点低，无法满足使用要求的不足。该发明包括两基板，基板上设有电极；热电元件，设置在两基板之间；热电元件在和基板相对的表面上依次设置内阻挡层和内焊接扩散层，电极上设置外阻挡层；热电元件和基板焊接使内焊接扩散层和外阻挡层之间形成焊接层，内焊接扩散层的元素成分扩散到焊接层改变焊接层的成分比例。本申请的半导体制冷器焊接区组织结构均匀，焊接层可到达350度的耐温性能，满足使用要求。
- 一种提升Te基热电接头性能的方法-201910922138.X
- 陈少平;郭敬云;樊文浩;王文先;吴玉程;孟庆森 - 太原理工大学
- 2019-09-27 - 2023-09-29 - H10N10/817
- 本发明一种提升Te基热电接头性能的方法，属热电器件制备和连接件技术领域，其特征在于在热电材料和电极材料之间引入合适的化合物作为阻隔层，构建热电接头浓度梯度结构，解决二者连接过程中元素的严重扩散导致的热电接头性能削弱的问题，实现热电接头性能提升和服役寿命提高的目的。通过在Fe和Te之间引入原子百分比在0x/y1.5范围内的铁碲合金Fe
- 热电转换模块及热电转换模块的制造方法-202280012046.8
- 新井皓也;西元修司;大桥东洋;长友义幸 - 三菱综合材料株式会社
- 2022-01-31 - 2023-09-19 - H10N10/817
- 该热电转换模块(10)具有：彼此隔着间隔竖立设置的多个热电转换元件(11)；配设于这些热电转换元件(11)的竖立设置方向的第一端的第一电极部(25)；以及配设于所述竖立设置方向的第二端的第二电极部(35)，多个热电转换元件(11)通过第一电极部(25)及第二电极部(35)电连接，在所述第一端配设有第一绝缘电路基板(20)，所述第一绝缘电路基板(20)具备由陶瓷构成的第一绝缘层(21)及由银的烧成体构成的第一电极部(25)，在所述第二端配设有第二绝缘电路基板(30)，所述第二绝缘电路基板(30)具备由陶瓷或树脂构成的第二绝缘层(31)、由铝或铜构成的缓冲层(34)及第二电极部(35)。
- 一种无基板的碲化铋基半导体热电器件及其制备方法-201911376878.4
- 江程鹏;樊希安;张帆 - 湖北赛格瑞新能源科技有限公司
- 2019-12-27 - 2023-05-30 - H10N10/817
- 本发明涉及一种无基板的碲化铋基半导体热电器件及其制备方法，热电器件设有高温端导流铜条、碲化铋基P/N型热电元件和低温端导流铜条、导线、以及用于焊接的无铅焊料。制备方法包括在热、冷面陶瓷板上用粘胶粘接高、低温端导流铜条；在高、低温端导流铜条上印刷无铅焊料；组装碲化铋基P/N型热电元件，回流焊后取下热、冷面陶瓷板；焊接导线，制成无基板的碲化铋基半导体热电器件。本热电器件解除了现有半导体热电器件成品必须有陶瓷基板作为支撑的限制，消除了陶瓷板与电极间的热应力，提高了热电器件热电转换效率和热电性能，使用可靠、稳定性好。本制备方法工艺简单、成本低、成品率高，适合工业化批量生产。
- 一种检测两面陶瓷基板温度的热电半导体模块-202211435401.0
- 冯林 - 浙江先导热电科技股份有限公司
- 2022-11-16 - 2023-05-12 - H10N10/817
- 本发明主要是为了解决现有的检测两面陶瓷基板温度的方案存在风险的问题，公开了一种检测两面陶瓷基板温度的热电半导体模块，包括长边陶瓷基板和短边陶瓷基板，长边陶瓷基板上设有P/N型半导体颗粒和第一NTC温度传感器，短边陶瓷基板上设有第二NTC温度传感器，长边陶瓷基板和短边陶瓷基板两侧均设有焊线焊盘位置；热电半导体模块还包括通电导线、第一NTC温度传感器传输导线和第二NTC温度传感器传输导线。本发明实现了热电半导体模块两面陶瓷基板温度的检测，焊接导线在空间上相互错开，降低了焊接短路风险；检测长边陶瓷基板温度时，有效减少短边陶瓷基板温度通过介质传递到长边陶瓷基板，保证温度检测结果的准确性。
- 一种半导体制冷器件及其制备工艺-202211718091.3
- 刘志双;曾广锋;高涛 - 东莞先导先进科技有限公司
- 2022-12-30 - 2023-04-28 - H10N10/817
- 本发明属于制冷技术领域，提供了一种半导体制冷器件。包括P型半导体、N型半导体和热端陶瓷基板、冷端陶瓷基板；所述P型半导体和N型半导体在水平方向上交错分布，所述冷端陶瓷基板和所述热端陶瓷基板分别位于P型半导体和N型半导体的顶部和底部；所述P型半导体和N型半导体的上表面通过导流板胶层和冷端陶瓷基板连接，所述P型半导体和N型半导体的下表面通过导流片或导流板胶层和所述热端陶瓷基板连接。本发明提供的半导体制冷器件，与现有技术相比结构简单，材料成本降低，且至少可减少一个导流片的使用，可避免使用过程中由于高频冷热循环而对焊料焊接点带来老化的损伤，提高了半导体制冷器件的使用寿命。
- 一种基于高温辐射冷却的热电模块冷却方法-202111167786.2
- 张莹;周志华;刘俊伟 - 天津大学
- 2021-09-30 - 2023-04-07 - H10N10/817
- 本发明公开了一种基于高温辐射冷却的热电模块冷却方法，包括热电模块和辐射冷却模块；本发明基于高温辐射冷却原理对热电模块的冷端进行冷却处理，既解决了传统被动风冷技术的空间限制问题，又不需要消耗额外能量，是未来热电模块冷却的重要手段。
- 欧姆接触结构-202222227433.3
- 陈玉成;高涛;曾广锋 - 东莞先导先进科技有限公司
- 2022-08-23 - 2023-04-07 - H10N10/817
- 本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种欧姆接触结构，包括半导体材料层、粘附金属层、欧姆接触金属层和扩散阻挡金属层，所述半导体材料层具有第一端面，所述第一端面开设有多个凹槽；所述粘附金属层设置于所述第一端面；所述欧姆接触金属层设置于所述粘附金属层；所述扩散阻挡金属层设置于所述欧姆接触金属层。本实用新型结构简单紧凑，提高半导体材料层和欧姆接触金属层之间的粘合力，保证半导体器件的寿命。
- 一种铜镍合金薄膜热电偶的加工方法-201910453155.3
- 奚亚男;胡淑锦 - 广州钰芯传感科技有限公司
- 2019-05-28 - 2023-02-07 - H10N10/817
- 本发明提供了一种铜镍合金薄膜热电偶的加工方法。本发明在特殊绝缘基材上进行铜镍合金薄膜化加工，将单个铜镍合金‑铜相连的金属模块测温用热电偶加工成连续化薄膜，并根据实际需求进行多层叠合。在同等温度测量条件下，将测得电势差成倍放大，可以实现精准检测微小温度差的结果。本发明还将修饰薄膜热电偶的绝缘基板多层互联，实现多个热电偶串联，实现微小温差检测，可用于要求更高灵敏度的温差检测。
- 热电转换组件及其制造方法-202180038636.3
- 关佑太;森田亘;加藤邦久 - 琳得科株式会社
- 2021-05-26 - 2023-02-03 - H10N10/817
- 本发明提供可防止由接合材料引起的电极上的热电转换材料的芯片的位置偏移、抑制邻接的热电转换材料的芯片之间的短路、热电转换材料的芯片与电极的接合不良的热电转换组件及其制造方法。该热电转换组件包含：具有第1电极的第1基板；具有第2电极的第2基板；由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片；由第1接合材料形成的第1接合材料层，所述第1接合材料层将该热电转换材料的芯片的一面和上述第1电极接合；以及由第2接合材料形成的第2接合材料层，所述第2接合材料层将上述热电转换材料的芯片的另一面和上述第2电极接合，其中，上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的熔点，或者上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的固化温度。
- 专利分类
