[发明专利]一种异质结、其制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 202211433965.0 申请日: 2022-11-16
公开(公告)号: CN115768230A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 刘洋博文;杨冰;黄俊;魏强民 申请(专利权)人: 湖北九峰山实验室
主分类号: H10N10/01 分类号: H10N10/01;H10N10/852;C23C16/30;C23C16/01
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张雪娇
地址: 430073 湖北省武汉市东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种异质结、其制备方法及应用,采用化学气相沉积方法与干法转移法相结合的路线,首先通过化学气相沉积方法直接两步生长得到MoS2/WS2混合层,再通过干法转移技术将其转移至h‑BN衬底表面形成异质结,或者先采用化学气相沉积分别生长MoS2和WS2,再利用干法转移技术,将MoS2层和WS2层分批次转移至h‑BN衬底表面形成异质结,得到的MoS2/WS2‑h‑BN异质结具有优异的热电性能,且该方法对化学气相沉积方法的控制要求并不是很严格,受外界环境的影响较小,具有稳定性好、可重复性强的优点,有利于大范围推广使用。
搜索关键词: 一种 异质结 制备 方法 应用
【主权项】:
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