[发明专利]一种异质结、其制备方法及应用在审
| 申请号： | 202211433965.0 | 申请日： | 2022-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN115768230A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 刘洋博文;杨冰;黄俊;魏强民 | 申请（专利权）人： | 湖北九峰山实验室 |
| 主分类号： | H10N10/01 | 分类号： | H10N10/01;H10N10/852;C23C16/30;C23C16/01 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇 |
| 地址： | 430073 湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 制备 方法 应用 | ||
1.一种异质结的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在初始衬底表面沉积AO3薄膜后，在硫源的作用下进行化学气相沉积处理，生长AS2，得到AS2-初始衬底；
(2)在AS2-初始衬底表面沉积XO3薄膜，然后去除AS2表面的XO3薄膜，使得XO3薄膜在AS2的相邻区域且厚度相同，得到AS2/XO3-初始衬底；
(3)将AS2/XO3-初始衬底，在硫源的作用下进行化学气相沉积处理，生长XS2，得到AS2/XS2-初始衬底；
(4)采用干法转移法将h-BN衬底转移至目标衬底上，再通过干法转移法将步骤(3)得到的衬底上的AS2/XS2转移至h-BN衬底表面，得到异质结；
所述AO3薄膜中的A选自Mo或W；
所述XO3薄膜中的X选自Mo或W；
所述A和X不同时为Mo或W。
2.一种异质结的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在初始衬底表面沉积AO3薄膜后，在硫源的作用下进行化学气相沉积处理，生长AS2，得到AS2-初始衬底；
(2)采用干法转移法将h-BN衬底转移至目标衬底上，再通过干法转移法将步骤(1)得到的衬底上的AS2转移至h-BN衬底表面；
(3)在另外的初始衬底表面沉积厚度相同的XO3薄膜，在硫源的作用下进行化学气相沉积处理，生长XS2，得到XS2-初始衬底；
(4)采用干法转移法将步骤(3)得到的衬底上的XS2转移至步骤(2)得到的衬底表面，使得XS2在AS2的相邻区域，得到异质结；
所述AO3薄膜中的A选自Mo或W；
所述XO3薄膜中的X选自Mo或W；
所述A和X不同时为Mo或W。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述AO3薄膜或XO3薄膜采用真空电子束蒸镀方法沉积在相应衬底表面。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述真空电子束蒸镀时，真空度为1×10-6～5×10-7Torr。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述干法转移法为PDMS辅助转移法。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述PDMS辅助转移法中的胶膜为PC/PDMS复合膜。
7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，生长MoS2时，所述化学气相沉积处理具体为：将相应衬底与硫源放入石英管内，保持气压为50～65mtorr，然后以15～25℃/min的速率升温至850～900℃，保持15～20min后，自然降温至室温；
其中，在温度大于280～350℃时，通入氩气，流量为30～40sccm；
在温度大于680～750℃时，通入氢气，流量为10～20sccm；
所述氩气至自然降温至室温后停止通入，所述氢气在自然降温时停止通入。
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