[发明专利]封装结构及晶圆级封装方法在审
申请号: | 202211399086.0 | 申请日: | 2022-11-09 |
公开(公告)号: | CN115528058A | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 汤杰夫;王鑫琴;王蔚 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种封装结构以及晶圆级封装方法,所述封装结构包括芯片、透光的保护基板以及至少一透光组件。所述芯片包括多个芯片单元,所述芯片具有相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面上形成有感应层;所述透光的保护基板遮盖于所述芯片的第一表面;至少一透光组件设置于所述保护基板和所述芯片的第一表面之间,每一所述透光组件分别包括一透光基板、以及分布于所述透光基板至少一个表面上的至少一个透镜单元,每个所述透镜单元分别对应一个所述芯片单元。本发明封装结构以及晶圆级封装方法,其能够大大缩短镜头模组的制作流程,降低镜头模组的整体厚度,且镜头模组中的多个镜头厚度一致。 | ||
搜索关键词: | 封装 结构 晶圆级 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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