[发明专利]再分布衬底以及包括再分布衬底的半导体封装在审
| 申请号： | 202211394880.6 | 申请日： | 2022-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN116110876A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 黄贤瀞;金东奎;石敬林;李元宰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/528;H01L23/538;H01L23/552;H01L23/14;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 范心田;倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了再分布衬底，可以包括：第一互连层，具有第一绝缘图案、第一虚设图案和第二虚设图案，第一虚设图案和第二虚设图案在第一绝缘图案中；以及第二互连层，堆叠在第一互连层上，第二互连层具有第二绝缘图案、信号图案和电源/接地图案，信号图案和电源/接地图案在第二绝缘图案中。第一虚设图案可以位于信号图案下方，并且第二虚设图案可以位于电源/接地图案下方。第一虚设图案可以包括点状图案，并且第二虚设图案可以包括板状图案。 | ||
| 搜索关键词： | 再分 衬底 以及 包括 半导体 封装 | ||
【主权项】：
暂无信息
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