[发明专利]SONOS结构及其编程方法、形成方法、存储器在审
| 申请号： | 202211372002.4 | 申请日： | 2022-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN115568224A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 丁杨;张可钢 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H01L29/792;G11C16/12;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张英英 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种SONOS结构及其编程方法、形成方法、存储器，所述SONOS结构可以包括：半导体衬底；介质层，位于所述半导体衬底的表面；电荷捕获层，位于所述介质层的表面；隧穿介质层，覆盖所述电荷捕获层；导电层，位于所述隧穿介质层的表面；其中，所述介质层的厚度大于所述隧穿介质层的厚度。本发明可以有效提高存储可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 结构 及其 编程 方法 形成 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211372002.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：远程诊断方法以及相关设备
- 下一篇：一种快速定位组装产品的方法及其定位机构
