[发明专利]SONOS结构及其编程方法、形成方法、存储器

权利要求书

1.一种SONOS结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

介质层，位于所述半导体衬底的表面；

电荷捕获层，位于所述介质层的表面；

隧穿介质层，覆盖所述电荷捕获层；

导电层，位于所述隧穿介质层的表面；

其中，所述介质层的厚度大于所述隧穿介质层的厚度。

2.根据权利要求1所述的SONOS结构，其特征在于，还包括：

渐变氮氧化物层，位于所述电荷捕获层的表面；

其中，所述隧穿介质层位于所述渐变氮氧化物层的表面。

3.根据权利要求2所述的SONOS结构，其特征在于，所述电荷捕获层的材料为氮化物；

在所述渐变氮氧化物层内，越邻近所述电荷捕获层，氮元素含量越多。

4.根据权利要求2所述的SONOS结构，其特征在于，所述隧穿介质层的材料为氧化物；

在所述渐变氮氧化物层内，越邻近所述隧穿介质层，氧元素含量越多。

5.根据权利要求1所述的SONOS结构，其特征在于，满足以下一项或多项：所述介质层的材料为氧化物；

所述电荷捕获层的材料为氮化物；

所述隧穿介质层的材料为氧化物；

所述导电层的材料为多晶硅。

6.一种基于权利要求1至5任一项所述的SONOS结构的擦除方法，其特征在于，所述SONOS结构还包括：源极和漏极，所述源极和漏极位于所述半导体衬底内；

所述擦除方法包括：

向所述导电层施加负向擦除电压，对所述漏极进行接地处理。

7.一种基于权利要求1至5任一项所述的SONOS结构的编程方法，其特征在于，所述SONOS结构还包括：源极和漏极，所述源极和漏极位于所述半导体衬底内；

所述编程方法包括：

向所述导电层施加正向编程电压，向所述漏极施加正向编程电压或对所述漏极进行接地处理；

其中，向所述导电层施加的正向编程电压大于向所述漏极施加的正向编程电压。

8.根据权利要求7所述的SONOS结构的编程方法，其特征在于，满足以下一项或多项：

在进行编程“1”时，向所述漏极施加正向编程电压；

在进行编程“0”时，对所述漏极进行接地处理。

9.一种基于权利要求1至5任一项所述的SONOS结构的读取方法，其特征在于，所述SONOS结构还包括：源极和漏极，所述源极和漏极位于所述半导体衬底内；

所述读取方法包括：

对所述导电层进行接地处理，向所述漏极施加正向读取电压。

10.一种SONOS结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底的表面形成介质层；

在所述介质层的表面形成电荷捕获层；

形成隧穿介质层，所述隧穿介质层覆盖所述电荷捕获层；

在所述隧穿介质层的表面形成导电层；

其中，所述介质层的厚度大于所述隧穿介质层的厚度。

11.根据权利要求10所述的SONOS结构的形成方法，其特征在于，在形成隧穿介质层之前，所述方法还包括：

在所述电荷捕获层的表面形成渐变氮氧化物层；

其中，所述隧穿介质层位于所述渐变氮氧化物层的表面。

12.根据权利要求11所述的SONOS结构的形成方法，其特征在于，所述电荷捕获层的材料为氮化物；

在含有氮元素和氧元素的工艺环境下，采用氧化工艺，在所述电荷捕获层的表面形成渐变氮氧化物层，以使得在所述渐变氮氧化物层内，越邻近所述电荷捕获层，氮元素含量越多。

13.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的SONOS结构。