[发明专利]半导体装置

摘要

提供一种半导体装置，该半导体装置能够在将JFET和漩涡状的电阻元件配置于同一半导体芯片的构造中抑制电阻元件的电阻值偏差。半导体装置具备：n+型漏极区，其在p型半导体基体的上部；n型漂移区，其与n+型漏极区相接；n+型源极区，其隔着n型漂移区而与n+型漏极区相向；p型栅极区，其与n型漂移区相接；层间绝缘膜，其覆盖n型漂移区；电阻元件，其设置于层间绝缘膜的内部，具有螺旋状的平面形状；漏极电极布线，其与n+型漏极区及电阻元件的一端连接；源极电极布线，其与n+型源极区连接；栅极电极布线，其与p型栅极区连接；以及分压端子布线，其与电阻元件连接，其中，源极电极布线具有与电阻元件的最外周的间隔固定的部分。