[发明专利]一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用在审
| 申请号： | 202211345215.8 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115537920A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 胡志宇;张帅;吴振华;罗思远;刘泽昆;刘妍;施慧烈;傅理夫 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B23/02;C30B25/16;C30B29/46;C30B29/60;C30B29/64;C30B29/66;C30B33/02;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/112;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维过渡金属硫族化合物及其制备和应用，利用硫族单质和过渡金属单质作为靶源，通过分子束外延技术，结合分步蒸发和后蒸发的策略，在衬底上进行气相沉积，从而得到高质量，大尺寸的二维过渡金属硫族化合物薄膜材料。与现有技术相比，本发明制备得到的薄膜形貌为少层平面结构、多层纳米棒结构或者多层纳米管结构，整个方法简单，高效，产物质量高，在高性能微纳器件、场效应晶体管、光电探测和集成电路等领域有着巨大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 过渡 金属 化合物 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
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