[发明专利]改善IGBT器件铝穿通缺陷的方法在审
| 申请号： | 202211314707.0 | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN115527855A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 郭东旭;冯超;马栋;陆聪;程洁;李魁;孙泽阳;朱金妹 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善IGBT器件铝穿通缺陷的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括硅衬底，且所述硅衬底的上方形成有接触孔；于所述半导体结构的表面形成金属阻挡层；于所述金属阻挡层的表面形成钨层；于所述钨层的表面形成铝层或铝合金层；刻蚀所述接触孔以外区域预设范围内的所述金属阻挡层、所述钨层及所述铝层/所述铝合金层。通过本发明解决了现有的钨回刻及铝刻蚀的工艺流程中较大关键尺寸的接触孔易发生铝穿通的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 igbt 器件 铝穿通 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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