[发明专利]改善IGBT器件铝穿通缺陷的方法在审
| 申请号： | 202211314707.0 | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN115527855A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 郭东旭;冯超;马栋;陆聪;程洁;李魁;孙泽阳;朱金妹 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 igbt 器件 铝穿通 缺陷 方法 | ||
1.一种改善IGBT器件铝穿通缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一半导体结构，所述半导体结构包括硅衬底，且所述硅衬底的上方形成有接触孔；
于所述半导体结构的表面形成金属阻挡层；
于所述金属阻挡层的表面形成钨层；
于所述钨层的表面形成铝层或铝合金层；
刻蚀所述接触孔以外区域预设范围内的所述金属阻挡层、所述钨层及所述铝层/所述铝合金层。
2.根据权利要求1所述的改善IGBT器件铝穿通缺陷的方法，其特征在于，所述接触孔的关键尺寸大于1.5μm。
3.根据权利要求1所述的改善IGBT器件铝穿通缺陷的方法，其特征在于，所述金属阻挡层的材质包括氮化钛或氮化钽。
4.根据权利要求1所述的改善IGBT器件铝穿通缺陷的方法，其特征在于，所述钨层的厚度范围为2000埃～4000埃。
5.根据权利要求1所述的改善IGBT器件铝穿通缺陷的方法，其特征在于，所述铝合金层包括铝-硅合金层或铝-硅-铜合金层。
6.根据权利要求5所述的改善IGBT器件铝穿通缺陷的方法，其特征在于，所述铝-硅合金层中硅的重量百分比为1％～2％；所述铝-硅-铜合金中硅的重量百分比为1％～2％，铜的重量百分比为2％～4％。
7.根据权利要求1所述的改善IGBT器件铝穿通缺陷的方法，其特征在于，于所述硅衬底的上方形成所述接触孔的方法包括：于所述硅衬底的表面形成介质层，刻蚀所述介质层形成所述接触孔。
8.根据权利要求7所述的改善IGBT器件铝穿通缺陷的方法，其特征在于，所述介质层的材质包括氧化硅。
9.根据权利要求1所述的改善IGBT器件铝穿通缺陷的方法，其特征在于，刻蚀所述接触孔以外区域预设范围内的所述金属阻挡层、所述钨层及所述铝层/所述铝合金层的方法包括：先刻蚀去除所述铝层/所述铝合金层，再刻蚀去除所述钨层及所述金属阻挡层。
10.根据权利要求9所述的改善IGBT器件铝穿通缺陷的方法，其特征在于，刻蚀去除所述铝层/所述铝合金层、所述钨层及所述金属阻挡层的方法包括干法刻蚀或湿法刻蚀。
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