[发明专利]一种改善超重掺B衬底外延后WARP的工艺方法在审
| 申请号： | 202211257385.0 | 申请日： | 2022-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN115662878A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 韩少锋;经尚宸;黄星博;李仕权;黄春峰;曹锦伟;孙晨光;王彦君 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/44 |
| 代理公司： | 苏州高专知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32474 | 代理人： | 冷泠 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善超重掺B衬底外延后WARP的工艺方法，其改善工艺方法包括以下步骤：S1、首先在进行超重掺Ph衬底外延加工前，需要对超重掺Ph衬底外延生长系统进行腐蚀和基座包硅处理，并且需要对超重掺Ph衬底表面进行前抛光处理，去除超重掺Ph衬底表面残留的局部瑕疵和不平整处；S2、其次需要将超重掺Ph衬底放入的加热设备内部，进行实时升温到一定范围值的温度区域内，向炉内通入大流量氢气，用化学气相沉积法生长一层本征外延层，再次通入大流量氢气冲洗，进行第二阶段的生长，直到外延层的厚度达到要求。本发明能够有效的实现超重掺B Res≤1mohm‑cm外延WARP改善，由＞60um降低为＜30um，使外延长膜过程中产生的应力得到释放，进而有效的降低了外延后WARP。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 超重 衬底 外延 warp 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
