[发明专利]一种改善超重掺B衬底外延后WARP的工艺方法在审

专利信息
申请号: 202211257385.0 申请日: 2022-10-14
公开(公告)号: CN115662878A 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 韩少锋;经尚宸;黄星博;李仕权;黄春峰;曹锦伟;孙晨光;王彦君 申请(专利权)人: 中环领先半导体材料有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;C23C16/44
代理公司: 苏州高专知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32474 代理人: 冷泠
地址: 214000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 超重 衬底 外延 warp 工艺 方法
【权利要求书】:

1.一种改善超重掺B衬底外延后WARP的工艺方法,其特征在于:其改善工艺方法包括以下步骤:

S1、首先在进行超重掺Ph衬底外延加工前,需要对超重掺Ph衬底外延生长系统进行腐蚀和基座包硅处理,并且需要对超重掺Ph衬底表面进行前抛光处理,去除超重掺Ph衬底表面残留的局部瑕疵和不平整处;

S2、其次需要将超重掺Ph衬底放入的加热设备内部,进行实时升温到一定范围值的温度区域内,向炉内通入大流量氢气,用化学气相沉积法生长一层本征外延层,再次通入大流量氢气冲洗,进行第二阶段的生长,直到外延层的厚度达到要求;

S3、最后在超重掺Ph衬底外延层生长时,进行实时调节衬底外延生长时超重掺Ph衬底外延生长系统的温度,使得超重掺Ph衬底外延加工过程始终保持高温环境,在超重掺Ph衬底外延生长时,CAP层生长和外延层生长使用相同的掺杂工,进而实现对超重掺Ph衬底外沿进行实时加工。

2.根据权利要求1所述的一种改善超重掺B衬底外延后WARP的工艺方法,其特征在于:所述加热设备内部升温的范围区域值为20至30摄氏度左右,且加热升温的时间为30秒。

3.根据权利要求1所述的一种改善超重掺B衬底外延后WARP的工艺方法,其特征在于:所述加热设备内部加热升温过程通入的氢气量与超重掺Ph衬底的量之间的比例为70:1。

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