[发明专利]一种宽工艺窗口的SiC肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202211206807.1 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115588697A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 王威;黄汇钦 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 李春林 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种宽工艺窗口的SiC肖特基二极管及其制造方法，其中所述SiC肖特基二极管包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体外延层、图案化二氧化硅层和第一金属层；所述第一导电类型半导体外延层的第一表面设置有第二导电类型主结，所述图案化二氧化硅层在所述第一导电类型半导体衬底上的投影位于所述第二导电类型主结在所述第一导电类型半导体衬底上的投影内；所述第一金属层在所述第一导电类型半导体外延层上的投影与所述图案化二氧化硅层在所述第一导电类型半导体外延层上的投影交叠。本发明利用有角度的介电层结构来实现终端金属的抬升，可以提高器件整体的反向耐压与可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工艺 窗口 sic 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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