[发明专利]应用晶圆级封装的再布线层材料的复介电常数提取方法在审

专利信息
申请号: 202211202869.5 申请日: 2022-09-29
公开(公告)号: CN115575721A 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: 吴道伟;郑卓悦;潘鹏辉;王艳玲;张雨婷;唐磊;杨赵迎 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 崔方方
地址: 710000 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种应用晶圆级封装的再布线层材料的复介电常数提取方法,包括获取传输线的传输系数;建立基于微带线尺寸的介电常数与等效介电常数的模型,获取等效介电常数的理论值;根据搜索算法,在粗粒度下,由等效介电常数的理论值计算材料的介电常数范围;设置搜索步进,对材料的介电常数范围内的介电常数值进行搜索计算,得到频变的等效介电常数;根据传输线的传输系数,计算材料的损耗角正切值;计算得到复介电常数。利用晶圆级封装中传统微带线的结构,对再布线层材料的复介电常数进行提取,采用搜索算法,计算材料的介电常数范围,得到每个频率点的等效介电常数,扩大了测量的频率,降低了测量成本,提高了测试速度。
搜索关键词: 应用 晶圆级 封装 布线 材料 介电常数 提取 方法
【主权项】:
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