[发明专利]一种以缺陷为模板修饰单层二硒化钼的方法在审
| 申请号： | 202211179759.1 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN116288682A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘红军;陈浒;张伟力;景芳丽;胡章贵;吴以成 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C30B23/06 | 分类号： | C30B23/06;C30B29/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种以线缺陷为模板通过Pt纳米团簇选择性图案化修饰二硒化钼的方法，将高定向热解石墨衬底进行除杂，将石墨衬底放入超高真空的分子束外延系统中，将衬底保持合适生长二硒化钼的温度，使用电子束蒸发源和克努森扩散炉分别将Mo和Se沉积到衬底上，控制好沉积束流比与沉积时间，进行二硒化钼单层生长。生长后保温除去未反应的原料并提高结晶质量。将样品冷却至室温附近后，使用电子束蒸发源对Pt进行沉积，控制好沉积时间。本方法成功制备了高线缺陷密度的二硒化钼单层晶体并通过电子束蒸发沉积Pt的方式实现了以二硒化钼本征线缺陷为模板的Pt纳米团簇选择性图案化修饰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 模板 修饰 单层 二硒化钼 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学，未经天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211179759.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
