[发明专利]一种以缺陷为模板修饰单层二硒化钼的方法

权利要求书

1.一种以线缺陷为模板通过Pt单原子或纳米团簇选择性图案化修饰二硒化钼的方法其特征在于，包括以下步骤。

步骤一，衬底的准备：将高定向热解石墨(HOPG)表面进行处理，获得干净平整的石墨表面。

步骤二，蒸发源与原料的准备：分别选用不同的对应蒸发源对高纯度的Se颗粒、Mo棒、Pt棒进行蒸发。

步骤三，采用分子束外延系统制备具有高密度线缺陷的单层二硒化钼：采用机械泵，分子泵，离子泵多级真空系统构造分子数外延所需要的高真空环境；将HOPG衬底安装到样品架上并送入分子数外延的超高真空系统中，HOPG衬底采用直流加热钨丝的方式进行热辐射加热到合适的反应温度；调整衬底位置，将其置于多个蒸发源产生的分子束流中心位置，在水冷循环系统的控温下，分别将Se源与Mo源加热到适宜温度，并提前打开Se源挡板，构建适宜样品生长的富Se环境，当富Se环境构建完成后，打开Mo源挡板阀开始生长单层二硒化钼。在生长结束后，关闭Se、Mo蒸发源挡板，并将衬底温度控制在生长温度或生长温度以上进行保温退火，以除去表面残留的原料并提高样品的结晶质量。

步骤四，二硒化钼生长完成后，将样品控制到适合Pt沉积的温度，在水冷循环系统的温度控制下将蒸发源中的高纯Pt棒加热到适宜温度，调整样品位置使其正对Pt分子束流中心，控制好挡板阀开启时间，进行Pt颗粒的沉积。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中高定向热解石墨需要使用专用胶带对表面进行剥离，获得平整表面。

3.根据权利要求1和2中所述的方法，其特征在于：步骤一中高定向热解石墨赢放入高真空中采用400-500℃退火2-3h。

4.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于：步骤三中，单层二硒化钼生长时应控制衬底温度为350-400℃。

5.根据权利要求4中所述的方法，其特征在于：步骤三中，单层二硒化钼生长时应控制Mo∶Se源束流比为1∶20-25，并提前打开Se挡板阀5-10min。

6.根据权利要求4和5中所述的方法，其特征在于：步骤三中，单层二硒化钼生长结束后应加热至400-450℃保温30min。

7.根据权利要求6中所述的方法，其特征在于：步骤四中，Pt沉积时应将样品温度控制在25-50℃。