[发明专利]用于半导体废气处理设备的反应腔和半导体废气处理设备

摘要

本申请提供一种用于半导体废气处理设备的反应腔和半导体废气处理设备，反应腔包括：反应腔本体，呈圆筒状，半导体制程产生的废气生成于反应腔本体内；均水环，呈阵列状、沿反应腔本体的周向设置于反应腔本体的内壁顶部，均水环用于对进入反应腔本体的溢流水进行均水处理，使得溢流水均匀地覆盖反应腔本体的整个内壁；均水环的设置高度为：h≥h水＝Q进水量/s水冷壁底面积；其中，Q进水量为进水量，s水冷壁底面积为水冷壁的底面积，h水为水冷壁的高度。本申请的反应腔增高了冷却水壁的高度，并采用均水环进行梳齿，降低水壁表面的自由能，使溢流水进入反应腔的过程中更加均匀。这种设置状态可以降低溢流不均匀的随机性不利影响。